山东大学崔鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511982582.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法是由崔鹏;张铁瀛;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及在漏极区集成P‑AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法，属于半导体功率器件制造领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层左侧上方设置源极金属，AlGaN势垒层右侧上方设置石墨烯层，AlGaN势垒层上方在源极金属和石墨烯层之间设置p‑GaN帽层，p‑GaN帽层上方设置栅极金属；石墨烯层内部设置若干p‑AlGaN岛，石墨烯层上方设置漏极金属。本发明通过PN结调控与欧姆接触并存，结合了石墨烯电极降低电阻提高散热等效果，优化器件的综合性能，可有效提升击穿电压，降低导通电阻并抑制电流崩塌，为高性能GaN功率和射频器件的制备提供了新的思路。
本发明授权在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层左侧上方设置源极金属，AlGaN势垒层右侧上方设置石墨烯层，AlGaN势垒层上方在源极金属和石墨烯层之间设置p-GaN帽层，p-GaN帽层上方设置栅极金属； 所述石墨烯层内部设置若干p-AlGaN岛，石墨烯层上方设置漏极金属； 所述石墨烯层的厚度为48-52nm，p-AlGaN岛的厚度为25-35nm；p-AlGaN岛中每个独立的岛的宽度为50nm；相邻p-AlGaN岛之间的间距为95-105nm。
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