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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种成像光热用金壳包覆长余辉纳米材料及其制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121610256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610128825.4，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种成像光热用金壳包覆长余辉纳米材料及其制备与应用是由严丽霞;余柳锋;陆可钰设计研发完成，并于2026-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种成像光热用金壳包覆长余辉纳米材料及其制备与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种成像光热用金壳包覆长余辉纳米材料及其制备与应用。所述纳米材料包括Cr掺杂锌‑镓‑锗氧化物长余辉纳米核、包覆于所述纳米核表面的介孔二氧化硅壳层以及包覆于所述介孔二氧化硅壳层外表面的金壳层。所述制备方法包括：水热反应并煅烧制备长余辉纳米核；在十六烷基三甲基溴化铵CTAB模板及碱性条件下使正硅酸乙酯TEOS水解缩聚形成介孔二氧化硅壳层、去除模板并进行氨基化；在氨基化表面吸附金离子并用硼氢化物还原形成金种，在含碳酸盐的金前驱体溶液中用羟胺盐促生长形成金壳层。所得纳米材料具有近红外长余辉发光能力，并在808nm激光照射下产生光热升温，可用于细菌成像及细菌样品光热处理。

本发明授权一种成像光热用金壳包覆长余辉纳米材料及其制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种表面金壳包覆长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1制备长余辉纳米粒子PLNPs：将含Ge4+的前驱体溶液、含Zn2+的前驱体溶液、含Ga3+的前驱体溶液以及含Cr3+的前驱体溶液混合，调节pH至7.5～9.5并搅拌得到前驱溶液；将所述前驱溶液置于密闭反应容器中进行水热反应得到水热产物；将所述水热产物洗涤、干燥后进行煅烧并研磨，得到近红外发光长余辉纳米粒子PLNPs；所述长余辉纳米粒子PLNPs的化学组成为ZnaGabGecO4:Cr，其中a为1.1～1.3，b为1.5～1.7，c为0.1～0.3，且Cr相对于a+b+c的摩尔分数为0.05～1.0mol%； S2制备介孔二氧化硅包覆并氨基化的长余辉纳米粒子：将所述PLNPs与十六烷基三甲基溴化铵分散于水中，加入碱以形成碱性反应体系，在40～80℃条件下加入正硅酸乙酯进行水解缩聚以在所述PLNPs表面形成介孔二氧化硅壳层，得到PLNPs@MSN；对所述PLNPs@MSN进行洗涤以去除模板剂后，对其进行氨基化处理得到MPLNPs-NH2； S3制备金壳包覆的长余辉纳米材料MPLNPs@Au：将所述MPLNPs-NH2分散于醇类溶剂中，与氯金酸接触使金离子吸附于其表面，加入硼氢化物还原形成表面金种得到MPLNPs-Au；将所述MPLNPs-Au加入含氯金酸与碳酸盐的K-gold溶液中，并加入羟胺盐酸盐作为还原剂使所述金种生长形成金壳层，得到MPLNPs@Au。

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