山东龙光天旭太阳能有限公司邢业鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山东龙光天旭太阳能有限公司申请的专利一种低介电损耗芯片封装玻璃基板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121651681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610179013.2,技术领域涉及:C03C6/06;该发明授权一种低介电损耗芯片封装玻璃基板及其制备方法是由邢业鹏;田英良;钱启伟设计研发完成,并于2026-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低介电损耗芯片封装玻璃基板及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低介电损耗芯片封装玻璃基板及其制备方法,涉及玻璃制造技术领域。芯片封装玻璃基板的原料组成为:二氧化硅、氧化硼、二氧化锆、二氧化锗、氧化铝、氧化钆、复合助熔组分、低损耗介电功能组分;复合助熔组分:采用的原料包括氟化镁、偏硼酸锂、氟化锶;低损耗介电功能组分:采用的原料包括氮化硅、氮化硼微粉、偶联剂溶液。芯片封装玻璃基板的制备方法包括制备复合助熔组分、制备低损耗介电功能组分、玻璃基体成型、制得芯片封装玻璃基板步骤。本发明制备的芯片封装玻璃基板介电损耗低、机械性能优异。
本发明授权一种低介电损耗芯片封装玻璃基板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低介电损耗芯片封装玻璃基板,其特征在于:所述玻璃基板的原料重量份组成为:二氧化硅55-65份、氧化硼15-20份、二氧化锆5-6份、二氧化锗2-4份、氧化铝0.5-1份、氧化钆0.5-1份、复合助熔组分5-10份、低损耗介电功能组分2-5份; 所述复合助熔组分:将氟化镁、偏硼酸锂、氟化锶混合均匀,放入马弗炉中,升温至500-550℃,升温速率为5-7℃min,保温1-2h;保温结束后,进行球磨,然后过筛,烘干,得到复合助熔组分;所述氟化镁、偏硼酸锂、氟化锶的质量比为4-5:3-4:1-2; 所述低损耗介电功能组分:将氮化硼片加入N-甲基吡咯烷酮中,配制成氮化硼悬浮液,进行超声处理;超声结束后,进行离心分离,将上清液进行真空烘干,得到氮化硼微粉;将氮化硼微粉与氮化硅加入异丙醇中,搅拌;然后加入硅烷偶联剂溶液,继续搅拌;搅拌结束后,抽滤分离,将滤饼进行真空烘干;烘干后,研磨,过筛,得到低损耗介电功能组分。
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