浙江金砺科技有限公司何克强获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江金砺科技有限公司申请的专利一种MPCVD生长基台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224119159U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520603326.7，技术领域涉及：C30B25/12；该实用新型一种MPCVD生长基台是由何克强设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MPCVD生长基台在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种MPCVD生长基台，涉及人造钻石技术领域，以解决在替换已生长完成的金刚石以及重新放置新的金刚石籽晶时，由于涉及多次单独的夹持与放置动作，极大地增加了操作的复杂性的问题，包括：所述外控框架的内部插有培养框架；所述培养框架的底部插在划分卡槽的内部；所述培养框架的培养通孔的内部分别固接有挡栏框；所述培养框架的培养通孔的内部分别插有培养块。培养框架内部的挡栏框，不仅能对培养块进行遮挡，防止其在培养过程中位移，而且在需要拆除培养框架时，可对内部培养块进行统一拆除处理，同时培养框架顶部的连接螺孔与外拔杆的配合，方便操作人员通过手柄将培养框架连同内部培养块一次性取出，减少了操作时间和人力成本。
本实用新型一种MPCVD生长基台在权利要求书中公布了：1.一种MPCVD生长基台，包括：固定底座1；其特征在于： 所述固定底座1的内部插有对接块2； 所述对接块2的外壁上固接有呈圆周分布的侧挡块202； 所述对接块2的顶部设有顶置板3； 所述顶置板3的顶部固接有外控框架301； 所述外控框架301的内部插有培养框架4；所述培养框架4的内部开设有矩形培养通孔； 所述培养框架4的培养通孔的内部分别固接有挡栏框401； 所述培养框架4的培养通孔的内部分别插有培养块402；所述培养块402的底部插在挡栏框401内。
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