台湾积体电路制造股份有限公司锺政庭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124496U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520150745.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体装置是由锺政庭;陈豪育;蔡劲设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括堆叠或垂直配置的多个纳米结构晶体管层。纳米结构晶体管层各自包括至少一n型金属氧化物半导体纳米结构晶体管与至少一p型金属氧化物半导体纳米结构晶体管。可制造纳米结构晶体管层，使两个或更多纳米结构晶体管层的n型金属氧化物半导体纳米结构晶体管与p型金属氧化物半导体纳米结构晶体管具有一或多种不同的特性如纳米结构通道的数量。这可最佳化不同纳米结构晶体管层的n型金属氧化物半导体纳米结构晶体管与p型纳米结构晶体管的效能以用于不同的效能参数。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一纳米结构晶体管层，包括： 多个第一纳米结构通道层，其延伸于一第一方向中且配置于一第二方向，且该第二方向近似垂直于该第一方向， 其中多个所述第一纳米结构通道层包括第一数目的纳米结构通道层； 一第一栅极结构，包覆每一多个所述第一纳米结构通道层； 一第一p型源极漏极区，与多个所述第一纳米结构通道层相邻；以及 一第一n型源极漏极区，与多个所述第一纳米结构通道层相邻；以及 一第二纳米结构晶体管层，在该第二方向中位于该第一纳米结构晶体管层上，包括： 多个第二纳米结构通道层，其延伸于该第一方向中并配置于该第二方向中， 其中多个所述第二纳米结构通道层包括第二数目的纳米结构通道层，以及其中第一数目不同于第二数目； 一第二栅极结构，包覆每一多个所述第二纳米结构通道层； 一第二p型源极漏极区，与多个所述第二纳米结构通道层相邻；以及 一第二n型源极漏极区，与多个所述第二纳米结构通道层相邻。
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