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龙图腾网获悉力特半导体(无锡)有限公司申请的专利具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910692287.1，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置是由谢明峰;林志钧;潘之昊设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置在说明书摘要公布了：本发明题为“具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置”。本公开的各个方面包括一个或多个半导体静电放电防护装置。至少一个实施方案包括具有一个或多个指状物的半导体静电放电装置，该一个或多个指状物被划分成具有交替的p扩散区和n扩散区的两个区段，其中每个区域与二极管和或硅控制整流器SCR的一部分中的至少一者相关联。

本发明授权具有二极管和硅控制整流器布置的半导体放电防护装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体静电放电防护装置，包括： 多个硅控制整流器；和 多个二极管，其中所述多个硅控制整流器和所述多个二极管整体地布置成至少两个指状物，所述至少两个指状物包括第一指状物和第二指状物，所述第一指状物和所述第二指状物沿着半导体基板的表面侧向布置，其中，所述第一指状物和所述第二指状物中的每个指状物包括至少两个区段， 其中，所述第一指状物以第一配置布置，第一配置包括： p型阱，包括： 第一区段，包括第一n型扩散区和第一p型扩散区， 第二区段，包括第二n型扩散区和第二p型扩散区，以及 第三p型扩散区，其将第一区段和第二区段分开，并形成n-p-n晶体管，并且 其中，所述第二指状物以第二配置布置，第二配置包括： n型阱，包括： 第一区段，包括第一n型扩散区和第一p型扩散区， 第二区段，包括第二n型扩散区和第二p型扩散区，以及 第三n型扩散区，其将第一区段和第二区段分开，并形成p-n-p晶体管， 其中，所述多个二极管中的第一二极管由第一指状物的第一p型扩散区和第二指状物的第一n型扩散区形成，每个指状物提供至少两个SCR区段， 其中，所述第一指状物的第一p型扩散区沿横向布置在第一指状物的第一n型扩散区和第二指状物的第一n型扩散区之间，并且所述第一指状物的第二n型扩散区沿横向布置在第一指状物的第二p型扩散区和第二指状物的第二p型扩散区之间。

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