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龙图腾网获悉恩智浦有限公司申请的专利RF放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112825475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011283534.1，技术领域涉及：H03F3/189；该发明授权RF放大器是由吉安·霍赫扎德;纪尧姆·勒贝利;克拉斯-简·德兰根设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF放大器在说明书摘要公布了：本公开描述了一种用于在SiGeHBT技术中实施的RF放大器。所述RF放大器具有共源共栅级，所述共源共栅级包括串联布置在第一电压轨与第二电压轨之间的共基极CB晶体管和共发射极CE晶体管。RF输入耦合到所述CE晶体管的基极，且RF输出耦合到所述CB晶体管的集电极。所述RF放大器包括布置在所述CB晶体管的基极与所述第二电压轨之间的CB断电电路，以及布置在所述CE晶体管的所述基极与所述第二电压轨之间的CE断电电路。在断电模式中，所述CE断电电路将所述共发射极晶体管的所述基极耦合到所述第二电压轨。所述CB断电模式电路经由高欧姆路径将所述CB晶体管的所述基极耦合到所述第二电压轨。

本发明授权RF放大器在权利要求书中公布了：1.一种用于在硅锗SiGe异质结双极型晶体管HBT技术中实施的射频RF放大器，其特征在于，所述RF放大器包括： 共源共栅级，所述共源共栅级包括串联布置在第一电压轨与第二电压轨之间的共基极共源共栅晶体管和共发射极晶体管； RF输入，所述RF输入耦合到所述共发射极晶体管的基极； RF输出，所述RF输出耦合到所述共基极共源共栅晶体管的集电极； 共基极偏置电路，所述共基极偏置电路耦合到所述共基极共源共栅晶体管的基极，且包括布置在所述共基极共源共栅晶体管的所述基极与所述第二电压轨之间的共基极断电电路； 共发射极偏置电路，所述共发射极偏置电路耦合到所述共发射极晶体管的所述基极，所述共发射极偏置电路包括布置在所述共发射极晶体管的所述基极与所述第二电压轨之间的共发射极断电电路；并且 其中在断电模式中，所述共基极断电电路被配置成经由高欧姆路径将所述共基极共源共栅晶体管的所述基极耦合到所述第二电压轨，所述共发射极断电电路被配置为经由低欧姆路径将所述共发射极晶体管的基极耦合到所述第二电压轨，其中所述低欧姆路径阻抗小于所述高欧姆路径阻抗。

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