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龙图腾网获悉深圳市振华微电子有限公司申请的专利一种电源预处理电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011009955.5，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种电源预处理电路是由魏毅鹏;韩凯玲设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电源预处理电路在说明书摘要公布了：本发明提出一种电源预处理电路，所述电源预处理电路包括：浪涌抑制电路，所述浪涌抑制电路用于实现过压浪涌限幅功能；电源维持电路，所述电源维持电路与所述浪涌抑制电路电连接，所述电源维持电路能够实现电源中断维持功能；功能电路，所述功能电路连接在所述电源维持电路上，所述功能电路在稳态输入时为所述电源维持电路提供功率回路，本发明通过三大电路部分有机组合，实现功能集成，相比较传统分立式产品体积降低40％以上，同时功率回路损耗大幅降低，效率得到有效提升。

本发明授权一种电源预处理电路在权利要求书中公布了：1.一种电源预处理电路，其特征在于，所述电源预处理电路包括： 浪涌抑制电路，所述浪涌抑制电路用于实现过压浪涌限幅功能； 电源维持电路，所述电源维持电路与所述浪涌抑制电路电连接，所述电源维持电路能够实现电源中断维持功能； 功能电路，所述功能电路电连接在所述电源维持电路上，所述功能电路在稳态输入时为所述电源维持电路提供功率回路； 所述浪涌抑制电路包括升压电路Boost1、控制电路Control、电阻R4和N沟道MOS管Q1，所述升压电路Boost1、所述控制电路Control、所述电阻R4串联在一起，所述N沟道MOS管Q1一端与所述电阻R4电连接，所述N沟道MOS管Q1另一端与所述控制电路Control电连接； 所述功能电路包括控制芯片U1和N沟道MOS管Q3，所述控制芯片U1两端并联在所述N沟道MOS管Q3上，实现传统二极管的单向导通功能，电流只能从所述N沟道MOS管Q3的漏极流向源极，电流反向时所述控制芯片U1则控制所述N沟道MOS管Q3关断； 所述浪涌抑制电路还包括电阻R1和稳压管D1，所述电阻R1一端与所述升压电路Boost1电连接，所述电阻R1另一端接地，所述稳压管D1一端与所述N沟道MOS管Q1电连接，所述稳压管D1另一端与所述电阻R1电连接； 所述电源维持电路包括升压电路Boost2、电阻R8、电容C1；所述电源维持电路还包括运算放大电路AMP、电阻R6、电阻R7、电阻R10、N沟道MOS管Q4、P沟道MOS管Q5、电阻R9、二极管D2； 稳态时，所述运算放大电路AMP输出低电平，所述N沟道MOS管Q4关断，进而所述P沟道MOS管Q5保持关断，所述电容C1不放电；当出现断电或者欠压时，所述运算放大电路AMP输出高电平，所述N沟道MOS管Q4开通，进而所述P沟道MOS管Q5自驱开通，所述电容C1的通过所述P沟道MOS管Q5和所述二极管D2对VOUT端进行放电，实现电源中断维持功能。

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