美光科技公司K·M·考尔道获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080060309.3，技术领域涉及：G11C11/404；该发明授权具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置是由K·M·考尔道;K·萨尔帕特瓦里;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置在说明书摘要公布了：一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含数据线、耦合到所述数据线的存储器单元、接地连接及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合到所述数据线的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构。所述第二晶体管包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域。所述接地连接耦合到所述第一晶体管的所述第一区域。所述导线与所述第一区域及所述第二区域电分开且横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分及所述第二晶体管的所述第二区域的部分，且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。
本发明授权具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 数据线； 存储器单元，其耦合到所述数据线，所述存储器单元包含： 第一晶体管，其包含接触所述数据线的第一沟道区域及与所述第一沟道区域分开的电荷存储结构；及 第二晶体管，其包含接触所述电荷存储结构及所述数据线的第二沟道区域；及 接地连接，其耦合到所述第一晶体管的所述第一沟道区域；及 导线，其与所述第一沟道区域及所述第二沟道区域电分开，所述导线的部分横跨所述第一晶体管的所述第一沟道区域的部分及所述第二晶体管的所述第二沟道区域的部分且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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