长江存储科技有限责任公司孙超获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210280670.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由孙超;江宁;刘威设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提出了一种半导体结构及其制作方法；半导体结构包括：至少一个晶体管，晶体管包括：沟道区，位于半导体层中；栅极，至少位于沟道区的一侧；源极区，位于沟道区的第一端；漏极区，位于沟道区的第二端；第一端和第二端分别为沟道区在第一方向上相对的两端，第一方向为半导体层厚度的方向；源极区和漏极区中的至少一个包含第一层区和第二层区，源极区和漏极区均含有第三层区；第一层区位于靠近沟道区的一侧；第三层区位于远离沟道区的一侧；第二层区位于第一层区与第三层区之间；第二层区的掺杂类型与第一层区、第三层区的掺杂类型均不同，或者第二层区为本征非掺杂区。本发明实施例可以减小晶体管的寄生电容，提高晶体管的响应速度。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：至少一个晶体管，所述晶体管包括： 沟道区，位于半导体层中； 栅极，至少位于所述沟道区的一侧； 源极区，位于所述沟道区的第一端； 漏极区，位于所述沟道区的第二端；其中，所述第一端和所述第二端分别为所述沟道区在第一方向上相对的两端，所述第一方向为所述半导体层厚度的方向； 所述源极区和所述漏极区中的至少一个包含第一层区和第二层区，所述源极区和所述漏极区均含有第三层区；所述第一层区位于靠近所述沟道区的一侧；所述第三层区位于远离所述沟道区的一侧；所述第二层区位于所述第一层区与所述第三层区之间； 其中，所述第二层区的掺杂类型与所述第一层区、第三层区的掺杂类型均不同，或者所述第二层区为本征非掺杂区。
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