台湾积体电路制造股份有限公司毕诗伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451008.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由毕诗伟;廖汉文;颜桓佑;陈彦羽;林群智设计研发完成，并于2017-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在栅介电层上形成伪栅电极层； 在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层； 以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层； 在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及 用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极， 其中，图案化所述伪栅电极层包括在施加电负性蚀刻剂的同时在蚀刻室内蚀刻所述伪栅电极层，所述电负性蚀刻剂包括含氟气体或等离子体， 其中，以越来越强的所述横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层包括随着到达所述伪栅电极层的更深部分而增加所述含氟气体或等离子体的氟含量。
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