台湾积体电路制造股份有限公司杨松鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060282.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由杨松鑫;郑宗期;萧茹雄设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在实施例中，半导体器件包括：衬底上的隔离区域；从隔离区域的相邻部分之间突出的鳍结构，鳍结构包括多个鳍和台面，鳍结构的沟道区域具有位于鳍中的第一部分以及位于台面中的第二部分，鳍以及台面是连续半导体材料，台面具有比鳍更大的宽度；以及鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构沿着鳍中的沟道区域的第一部分延伸并沿着台面中的沟道区域的第二部分延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 隔离区域，位于衬底上； 鳍结构，从所述隔离区域的相邻部分之间突出，所述鳍结构包括多个鳍和台面，所述鳍结构的沟道区域具有位于所述鳍中的第一部分以及位于所述台面中的第二部分，所述鳍以及台面是连续半导体材料，所述台面具有比所述鳍更大的宽度；以及 第一栅极结构，位于所述鳍结构上，所述第一栅极结构沿着所述鳍中的所述沟道区域的第一部分延伸并沿着所述台面中的所述沟道区域的第二部分延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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