台湾积体电路制造股份有限公司李东颖获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109550.1，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体器件和制造方法是由李东颖;余绍铭;张丞钧设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件和制造方法，其中制造具有双侧字线结构的存储器单元。在实施例中，第一字线位于存储器单元的第一侧上，第二字线位于存储器单元的与第一侧相反的第二侧上。
本发明授权半导体器件和制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成第一字线； 在所述第一字线上方形成位线； 在形成所述第一字线之后，在所述位线的第一侧上形成第一存储器单元，并且在所述位线的与所述第一侧相反的第二侧上形成第二存储器单元； 沉积与所述第一存储器单元相邻且与所述第一字线电连接的第二字线； 沉积与所述第二存储器单元相邻的第三功能字线；以及 在沉积所述第三功能字线之后，形成与所述第三功能字线电连接的第四字线，其中，所述第一字线与所述第四字线分别位于所述第三功能字线的下方和上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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