深圳先进电子材料国际创新研究院叶振强获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳先进电子材料国际创新研究院申请的专利一种降低热界面材料接触热阻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116806077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210268511.6，技术领域涉及：H05K7/20；该发明授权一种降低热界面材料接触热阻的方法是由叶振强;曾小亮;周威;李俊伟;韩猛;孙蓉;许建斌设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低热界面材料接触热阻的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低热界面材料接触热阻的方法，包括：1在器件的表面接枝含有活性基团I的硅烷偶联剂；2将含有活性基团II的热界面基体涂覆到步骤1得到的器件表面；3使所述活性基团II和所述活性基团I反应；其中，所述反应选自巯基‑烯基点击反应、氨基和羧基的酰胺化反应、氨基和醛基的缩合反应、羟基和异氰酸酯的加成反应中的至少一种。本发明从热界面材料基体的角度出发，通过硅烷偶联剂与热界面基体的活性基团间的反应，降低接触热阻。本发明提供的方法无需对热界面材料进行额外的改性工序，而仅依赖于其本身固有的化学基团，实现器件表面与热界面材料形成化学键连接，方法简单有效。
本发明授权一种降低热界面材料接触热阻的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低热界面材料接触热阻的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在器件的表面接枝含有活性基团I的硅烷偶联剂； 2将含有活性基团II的热界面基体涂覆到步骤1得到的器件表面； 3使所述活性基团II和所述活性基团I反应； 其中，所述反应为巯基-烯基点击反应； 所述活性基团I为乙烯基或巯基；所述活性基团II为巯基或乙烯基； 所述反应在光照条件下进行，所述含有活性基团II的热界面基体中掺杂有光催化剂； 所述器件的表面接枝含有活性基团I的硅烷偶联剂前需通过空气或氧气氛围下的等离子体刻蚀以接枝含氧官能团； 所述接枝含有活性基团I的硅烷偶联剂的方法为：将含有活性基团I的硅烷偶联剂充分水解后与所述器件的表面进行脱水缩合反应。
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