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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利复合支柱绝缘子不同污秽形态下的电场分析方法及风险评定系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119375619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411294223.3，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权复合支柱绝缘子不同污秽形态下的电场分析方法及风险评定系统是由龚若涵;周皓辰;曾子芹设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本复合支柱绝缘子不同污秽形态下的电场分析方法及风险评定系统在说明书摘要公布了：本发明属于电气设备技术领域，公开了一种复合支柱绝缘子在不同污秽形态下的电场分析方法及风险评定系统。该系统通过分析绝缘子在洁净、整体覆盖干污和整体覆盖湿污状态下电场特性的差异，识别受污秽影响最严重的伞裙。在伞裙表面依次施加不同覆盖范围和位置的湿污，深入分析其对电场特性的影响。通过计算电场畸变率，定义不同情况下的污闪风险等级，并根据风险等级提出相应的解决措施。该方法为绝缘子日常清洗维护策略提供了科学依据，尤其是在带电水冲洗操作中的应用，提高了绝缘子的运行维护效率，降低了污闪事故的发生概率。本发明的定量分析可帮助准确判断绝缘子的污染程度，具有广泛的应用前景，能够显著提升电力系统的安全性和运行可靠性。

本发明授权复合支柱绝缘子不同污秽形态下的电场分析方法及风险评定系统在权利要求书中公布了：1.一种复合支柱绝缘子不同污秽形态下的电场分析方法，其特征在于，对复合支柱绝缘子施加110kV额定电压，利用有限元算法进行计算分析，具体包括以下步骤： 步骤一，分析复合支柱绝缘子洁净、整体覆盖干污、整体覆盖湿污时电场特性的差异，找到受污秽影响最严重的伞裙； 首先计算在洁净情况下复合绝缘子沿面的电场强度分布；之后在绝缘子的伞裙所有表面都均匀覆盖污秽，将污秽依次定义为干污、湿污，分别计算干污和湿污状态下的绝缘子沿面电场强度分布；与洁净时电场强度分布对比，找到受污秽影响最严重的伞裙；之后着重计算分析在这片伞裙上表面囤积污秽范围、位置发生变化时，其场强大小的变化； 步骤二，在复合支柱绝缘子所述受污秽影响最严重的伞裙上表面依次施加覆盖范围不同、位置不同的湿污，分析在伞裙上表面污秽覆盖范围、污秽覆盖位置对绝缘子电场特性的影响；以找出受污秽影响最严重的伞裙上表面最易受影响的伞裙区域； 在所述受污秽影响最严重的伞裙上表面覆盖厚度、状态相同的污秽，分析伞裙上表面全部覆盖污秽、23范围覆盖污秽、13范围覆盖污秽时绝缘子沿面场强变化； 在所述受污秽影响最严重的伞裙上表面覆盖范围相同、状态相同的污秽，分析污秽分别覆盖在伞裙上表面前端、中端、后端时绝缘子沿面电场的变化。

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