北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)张长青获国家专利权
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龙图腾网获悉北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)申请的专利一种适用于高次模式的慢波结构及慢波电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411560402.7，技术领域涉及：H01J23/28；该发明授权一种适用于高次模式的慢波结构及慢波电路是由张长青;刘金亮;赵士录;蔡军;冯进军设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高次模式的慢波结构及慢波电路在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种适用于高次模式的慢波结构及慢波电路，包括壳体、由壳体顶壁向壳体底壁方向延伸的上栅体以及由壳体底壁向壳体顶壁方向延伸的下栅体，多个上栅体和多个下栅体彼此交错分布，各上栅体和各下栅体限定形成多个周期性结构的真空腔；在慢波结构高度方向上，所述上栅体与所述下栅体具有不同的高度；所述上栅体与所述下栅体之间形成有电子注通道。本发明能够实现低工作电压下抑制低次模式竞争及返波振荡，实现高次模式稳定工作，以低电压实现100W及以上的大输出功率。
本发明授权一种适用于高次模式的慢波结构及慢波电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于高次模式的慢波结构，其特征在于，包括壳体、由壳体顶壁向壳体底壁方向延伸的上栅体以及由壳体底壁向壳体顶壁方向延伸的下栅体，多个上栅体和多个下栅体彼此交错分布，各上栅体和各下栅体限定形成多个周期性结构的真空腔； 在慢波结构高度方向上，所述上栅体与所述下栅体具有不同的高度；所述上栅体与所述下栅体之间形成有电子注通道； 所述慢波结构包括由下栅体顶面向壳体顶壁方向延伸的隔栅，所述隔栅的顶面与所述上栅体的底面位于同一平面内； 所述上栅体高度为慢波结构内腔高度的12，所述下栅体高度为所述上栅体高度的12。
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