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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于互锁结构的混合键合结构及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411590995.1，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权基于互锁结构的混合键合结构及键合方法是由刘子玉;李锦竹;张卫;孙清清;陈琳设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于互锁结构的混合键合结构及键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法，所述混合键合结构包括：待键合的第一芯片，其上具有氧化硅层及凸出于氧化硅层的第一连接件；待键合的第二芯片，其上具有聚酰亚胺层、设于聚酰亚胺层内的凹陷及设于凹陷底部的第二连接件，且第二连接件的表面设有第一粘附层，第一连接件及第二连接件的材质包括铜和或铝；待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为：在键合前，第一连接件凸出氧化层的高度差大于第一粘附层顶面与氧化硅层顶面的高度差，在键合后，氧化硅层与聚酰亚胺层连接且第一连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二连接件连接，并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。

本发明授权基于互锁结构的混合键合结构及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种基于互锁结构的混合键合结构，其特征在于，包括： 待键合的第一芯片，其上具有氧化硅层及凸出于所述氧化硅层的第一连接件； 待键合的第二芯片，其上具有聚酰亚胺层、设于所述聚酰亚胺层内的凹陷及设于所述凹陷底部的第二连接件，且所述第二连接件的表面设有第一粘附层，所述第一连接件及所述第二连接件的材质包括铜和或铝； 所述待键合的第一芯片及所述待键合的第二芯片被配置为：在键合前，所述第一连接件凸出所述氧化硅层的高度差大于所述第一粘附层顶面与所述聚酰亚胺层顶面的高度差，且所述第二连接件及所述第一粘附层与所述凹陷之间具有间隙，在键合后，所述氧化硅层与所述聚酰亚胺层连接且所述第一连接件伸入所述凹陷利用所述第一粘附层与所述第二连接件连接，其中，所述聚酰亚胺层在热压键合过程中受热膨胀，以填充所述聚酰亚胺层与所述氧化硅层之间的预留间隙、所述第一连接件与所述凹陷侧壁的间隙和所述第二连接件及所述第一粘附层与所述凹陷的间隙，并以形成互锁结构。

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