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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311015123.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备是由徐晶晶;李璇;赵晓建;杨京设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备，下电极装置包括承载部件、聚焦环和控制电源，承载部件用于承载晶圆，并用于与射频源电连接，射频源用于向承载部件加载射频，使承载部件产生自偏压，聚焦环环绕承载部件设置，并能够环绕在承载部件上承载的晶圆的周围，控制电源的正极与射频源电连接，控制电源的负极与聚焦环电连接，控制电源用于向聚焦环加载控制电压，控制电压包括自偏压和与聚焦环的厚度相对应的补偿电压。本发明提供的下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备，能够提高控制电压的准确度，并能够使得控制电压的测算简便，且能够提高控制电压的实时性。

本发明授权下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种下电极装置，其特征在于，包括承载部件、聚焦环和控制电源，所述承载部件用于承载晶圆，并用于与射频源电连接，所述射频源用于向所述承载部件加载射频，使所述承载部件产生自偏压，所述聚焦环环绕所述承载部件设置，并能够环绕在所述承载部件上承载的所述晶圆的周围，所述控制电源的正极与所述射频源电连接，所述控制电源的负极与所述聚焦环电连接，所述控制电源用于向所述聚焦环加载控制电压，所述控制电压包括所述自偏压和与所述聚焦环的厚度相对应的补偿电压， 其中，所述下电极装置还包括馈入部件、电连接组件和下电极部件； 所述馈入部件与所述承载部件的底部电连接，所述控制电源的正极与所述馈入部件电连接； 所述电连接组件分别与所述聚焦环和所述控制电源的负极电连接； 所述下电极部件包括导电部和绝缘部，所述绝缘部呈环状，并环绕在所述导电部的至少部分周围，且与所述聚焦环对应的位于在所述聚焦环的下方，所述馈入部件贯穿所述导电部设置，所述电连接组件贯穿所述导电部和所述绝缘部设置，并与所述导电部之间绝缘设置。

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