长江存储科技有限责任公司刘子琛获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311002908.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储系统是由刘子琛;刘威设计研发完成，并于2023-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。制造半导体结构的方法包括：形成在存储区内且沿第二方向延伸的导电结构，并形成沿第二方向延伸穿过存储区和非存储区的隔离结构，其中，导电结构位于半导体柱的第一侧壁处，隔离结构的一部分位于半导体柱的、与第一侧壁相对的第二侧壁处；以及在非存储区中形成与隔离结构连接的引出结构。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，半导体层包括多个存储区和至少一个非存储区，所述存储区和所述非存储区均沿第一方向延伸，且沿第二方向排布，所述存储区包括多个沿第三方向延伸的半导体柱，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直，所述方法包括： 形成在所述存储区内且沿所述第二方向延伸的导电结构，并形成沿所述第二方向延伸穿过所述存储区和所述非存储区的隔离结构，其中，所述导电结构位于所述半导体柱的第一侧壁处，所述隔离结构的一部分位于所述半导体柱的、与所述第一侧壁相对的第二侧壁处；以及 在所述非存储区中形成与所述隔离结构连接的引出结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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