华中科技大学许剑锋获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119501694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411644813.4，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置及方法是由许剑锋;贾宇;彭尧;罗淼;王昊然;刘念设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置及方法在说明书摘要公布了：本申请属于金刚石抛光领域，具体公开了低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置及方法，该装置包括密封腔室以及设置在密封腔室内部的上旋转轴、下旋转轴、抛光板和紫外灯，密封腔室的内部具有工艺气体，并且保持气压在0.2torr～2torr；上旋转轴的下方用于与待磨金刚石连接；下旋转轴的上方与抛光板连接；抛光板采用透明材料或者开有多个通光孔的金属材料，并且与待磨金刚石接触；紫外灯设置在抛光板的下方并与上旋转轴同轴设置。本申请通过在低气压下利用紫外线照射待磨金刚石，能够使金刚石优先被石墨化以形成软石墨层，进而在常温下被抛光板摩擦去除，能够有效避免金刚石发生损伤。
本发明授权低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置及方法在权利要求书中公布了：1.低气压下紫外线照射促进高效抛光金刚石的装置，其特征在于，所述装置包括密封腔室2以及设置在所述密封腔室2内部的上旋转轴8、下旋转轴4、抛光板3和紫外灯5，所述密封腔室2的内部具有工艺气体，并且保持气压在0.2torr～2torr，所述工艺气体为O2、CH4、Cl2、CF4和SF6中的一种或多种；所述上旋转轴8的下方用于与待磨金刚石6连接，以带动待磨金刚石6旋转；所述下旋转轴4的上方与抛光板3连接，用于带动抛光板3旋转；所述抛光板3采用透明材料或者开有多个通光孔的金属材料制成，并且与待磨金刚石6接触以实现摩擦抛光；所述紫外灯5设置在抛光板3的下方并与上旋转轴8同轴设置，用于发射紫外线并使其穿过抛光板3照射到待磨金刚石6的磨抛面上，从而促进待磨金刚石6的磨抛面产生软石墨层以便于抛光，进而在常温下利用抛光板3摩擦去除软石墨层，所述紫外灯5发射的紫外线的波长为172nm。
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