昆明理工大学左勇刚获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种一维GaSe纳米带及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119528094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760214.9，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种一维GaSe纳米带及其制备方法是由左勇刚;朱恩佩;张利波;代林晴;夏洪应;王仕兴;张耕玮;付立康设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种一维GaSe纳米带及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一维GaSe纳米带及其制备方法，属于纳米材料生长技术领域。本发明将GaSe粉末与Ga金属混合置于管式炉第一温区，将衬底置于耐高温板上形成层叠体置于第二温区。然后将管式炉抽真空至低于0.1Pa，通入保护气体吹扫，维持压强至1atm。随后将第一温区和第二温区分别升温至900～960℃和600～750℃，对管式炉抽真空至低于0.1Pa后，通入保护气体进行材料生长，得到一维GaSe纳米带。本发明将含有GaSe和Ga的金属源作为前驱体，在高温下，无需添加其他金属作为催化剂，金属源挥发扩散至第二温区衬底得到高质量纳米带，并且本发明通过调控金属源浓度、载气流量、金属源与衬底距离实现对NWs生长密度及长度可控，为一维纳米材料的制备提供了一种新思路。
本发明授权一种一维GaSe纳米带及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一维GaSe纳米带的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将GaSe粉末与Ga金属混合置于管式炉第一温区，将衬底置于耐高温板上形成层叠体，并将层叠体置于管式炉第二温区；所述GaSe粉末与Ga金属的质量比为1.5-2：1； 2对管式炉抽真空至气压低于0.1Pa后，通入保护气体吹扫，随后维持压强至1atm； 3控制第一温区和第二温区分别升温至900~960℃和600~750℃，随后，对管式炉抽真空至气压低于0.1Pa后，通入保护气体进行材料生长； 4生长结束后，关闭加热电源，维持保护气体流量不变，冷却至室温，得到一维GaSe纳米带。
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