迈来芯电子科技有限公司L·丹尼斯获国家专利权
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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利使用循环神经网络的磁位置传感器系统、设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380053212.3，技术领域涉及：G01D5/14；该发明授权使用循环神经网络的磁位置传感器系统、设备和方法是由L·丹尼斯;A·蒙特亚努;I·赫瓦斯图诺夫;K·科登斯设计研发完成，并于2023-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用循环神经网络的磁位置传感器系统、设备和方法在说明书摘要公布了：确定传感器设备的位置x；x，y的方法，该传感器设备能相对于磁源移动，或者磁源能相对于该传感器设备移动；该传感器设备包括至少两个磁传感器；该方法包括以下步骤：a从所述磁传感器获得多个磁传感器信号；b基于所述多个传感器信号或从中导出的信号来确定或估计传感器设备的位置；其中，步骤b包括：使用人工神经网络来确定所述位置x；x，y；该人工神经网络是使用每个自由度的至多三百个可训练参数进行训练以用于确定所述位置的循环神经网络。位置传感器系统。位置传感器设备。
本发明授权使用循环神经网络的磁位置传感器系统、设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种确定传感器设备的位置的方法，所述传感器设备能相对于磁源以1个或2个或3个自由度移动，或者磁源能相对于所述传感器设备以1个或2个或3个自由度移动； 所述传感器设备包括半导体衬底，所述半导体衬底包括位于至少两个不同位置的多个至少两个磁传感器； 所述方法包括以下步骤： a从所述多个磁传感器获得多个传感器信号； b基于所述多个磁传感器信号和或从中导出的信号来确定所述传感器设备相对于所述磁源的位置； 步骤b包括使用人工神经网络来确定所述位置； 其中，所述人工神经网络是具有预定义数量的可训练参数的循环神经网络，所述可训练参数被训练以用于确定所述位置； 其特征在于， 所述传感器设备进一步包括温度传感器， 并且其中，所述方法进一步包括以下步骤：使用所述温度传感器测量所述半导体衬底的温度，并且将测得的温度作为附加输入信号提供给所述神经网络； 并且其中，可训练参数的数量为每个自由度至多300个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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