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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室申请的专利一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411613039.0，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用是由刘彬文;郭国聪;李明欣;姜小明;徐忠宁设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述类金刚石结构晶体材料的结构为三斜相，化学式为AM5Q8；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se、Te中的至少一种。该晶体材料的倍频效应是AgGaS2的0.5‑5倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。

本发明授权一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用在权利要求书中公布了：1.一种类金刚石结构晶体材料，其特征在于，所述类金刚石结构晶体材料的结构为三斜相，化学式为AM5Q8； 所述类金刚石结构晶体材料的化学式具体为NaGa5S8、KGa5S8、RbGa5Se8、KIn5Se8、CsIn5Te8； 所述类金刚石结构晶体材料具有类金刚石结构，即四面体结构单元之间通过阴离子共点连接，形成三维类蜂窝状的开放类孔道框架； 所述类金刚石结构晶体材料，属于三斜晶系的P1空间群； 所述类金刚石结构晶体材料的粉末激光损伤阈值为AgGaS2的1~50倍； 所述类金刚石结构晶体材料的倍频强度为AgGaS2的0.5~5倍； 其中， NaGa5S8的晶胞参数为a=7.71Å；b=8.74Å,c=10.6Å，α=87.8︒，β=70.16︒，γ=70.6︒，V=634.2Å3，Z=1； KGa5S8的晶胞参数为a=8.11Å；b=9.02Å,c=11.2Å，α=89.0︒，β=71.18︒，γ=71.8︒，V=734.2Å3，Z=1； RbGa5Se8的晶胞参数为a=8.81Å；b=8.79Å,c=10.60Å，α=89.8︒，β=72.3︒，γ=71.8︒，V=736.5Å3，Z=1； KIn5Se8的晶胞参数为a=9.03Å；b=9.39Å,c=12.08Å，α=89.5︒，β=72.9︒，γ=72.0︒，V=927.9Å3，Z=1； CsIn5Te8的晶胞参数为a=9.79Å；b=10.58Å,c=13.58Å，α=89.9︒，β=73.1︒，γ=73.6︒，V=1293.5Å3，Z=1。

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