科磊股份有限公司林家晖获国家专利权
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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利基于在线晶片测量数据的参数测量模型的校准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120153247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380041673.9，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权基于在线晶片测量数据的参数测量模型的校准是由林家晖;吴峻陞;吴松;詹天荣;E·邱;A·拉戈德辛斯基设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于在线晶片测量数据的参数测量模型的校准在说明书摘要公布了：本文中描述用于校准由参数测量模型产生的模拟测量信号的方法及系统。使用参数模型执行对真实测量信号的回归。所述真实测量信号与由所述参数模型产生的模拟测量信号之间的残余拟合误差特性化所述参数模型在一或多个浮动参数的估计值的每一集合下的误差。模拟测量信号由所述参数模型在所述浮动参数的指定值下产生。与在所述浮动参数的所述指定值下产生的所述模拟测量信号相关联的残余拟合误差是从通过对所述真实测量信号的所述回归计算的所述残余拟合误差导出。通过将所述残余拟合误差添加到未校准模拟测量信号而校准所述模拟测量信号。所述经校准模拟测量信号改进测量的准确度及测量配方开发。
本发明授权基于在线晶片测量数据的参数测量模型的校准在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 接收与制造于一或多个半导体晶片上的一或多个结构的多个例子中的每一者的测量相关联的真实测量信号； 确定与所述一或多个结构的所述多个例子的所述测量中的每一者相关联的参数测量模型的一或多个浮动参数的估计值的集合，其中所述一或多个浮动参数的估计值的每一集合最小化残余误差，每一残余误差特性化对应真实测量信号与通过所述参数测量模型在所述一或多个浮动参数的估计值的所述集合中的每一者下产生的模拟测量信号的对应集合之间的差； 通过在所述一或多个浮动参数的指定值的集合下评估所述参数测量模型而确定模拟测量信号的集合； 基于与所述一或多个结构的所述多个例子的所述测量中的每一者相关联的所述残余误差估计与所述一或多个浮动参数的所述指定值相关联的残余误差； 通过将与所述浮动参数的所述指定值相关联的所述残余误差添加到模拟测量信号的所述集合而校准模拟测量信号的所述集合；及 将模拟测量信号的经校准集合存储于存储器中。
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