聚灿光电科技(宿迁)有限公司王文君获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120224867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510420968.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法是由王文君;宋威姿;黎国昌;徐洋洋;贺志娟;闫晓东设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂UGaN层、高阻SiC过渡层、N型GaN层；SiCAlNAlGaN超晶格层、多量子阱MQW有源层、P型AlGaN层、P型GaN层。本发明在NGaN层下方插入高阻SiC过渡层，在电流路径中引入高阻区域，从而限制电流峰值；在MQW层下方插入SiCAlNAlGaN超晶格层，通过超晶格结构的应力缓冲效应和界面优化特性，有效抑制瞬态电流峰值，提高电流分布的均匀性，显著提升LED的抗EOS能力，同时降低缺陷密度，改善器件可靠性。
本发明授权一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗EOS高性能LED外延结构，包括衬底，其特征在于：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂UGaN层、高阻SiC过渡层、N型GaN层；SiCAlNAlGaN超晶格层、多量子阱有源层、P型AlGaN层、P型GaN层；所述高阻SiC过渡层厚度15nm，所述超晶格层中SiC层厚度1-5nm、AlN层厚度1-3nm、AlGaN层厚度3-10nm；超晶格层总厚度：50-300nm。
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