北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510840289.6，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备是由王宗巍;杨高琦;鲍霖;蔡一茂设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备，通过垂直堆叠多层存储层，每层存储层都包含多个自选择存储器，这样垂直堆叠的三维架构可以在单位面积内集成更多的自选择存储器，提高了存储容量，以满足高密度存储需求，比如可以满足大语言模型的存储需求，支持存内计算和近存计算，具有高带宽、低延迟的矩阵向量乘加速能力；自选择存储器能够在达到开启电压时实现自选择存储，避免引入晶体管造成的额外面积开销，减小了单个存储器的面积，并且简化了存储层的结构，提高了存储器的集成度。
本发明授权三维嵌入式非易失存储器、制作方法、芯片、装置、设备在权利要求书中公布了：1.一种三维嵌入式非易失存储器，其特征在于，所述三维嵌入式非易失存储器与逻辑芯片集成；所述三维嵌入式非易失存储器包括垂直堆叠的多层存储层； 每层所述存储层包括： 第一选择线，所述第一选择线沿第一方向延伸、沿第二方向间隔设置； 第二选择线，所述第二选择线沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向间隔设置，所述第一方向与所述第二方向相交； 自选择存储器，设置于所述第一选择线与所述第二选择线相交处，沿垂直方向，所述自选择存储器位于所述第一选择线与所述第二选择线之间，每个所述自选择存储器至少包括一层功能层； 所述自选择存储器包括沿垂直方向层叠的第一功能层和第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层之一为选通层、另一为阻变层； 所述阻变层在高阻态和低阻态之间可逆切换以存储数据； 所述选通层用于控制电流在所述自选择存储器中的通断，以在读写操作时导通被选中的所述自选择存储器的电流通路。
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