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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120945342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468466.9，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品是由刘波;余盛杰;廖家豪设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品。该方法包括以下步骤：a基材表面预处理形成沟槽，b通入碳源气体、在金属盐催化剂的作用下进行第一化学气相沉积生长成碳纳米颗粒，对步骤a预处理后的基材进行沉积得到过渡层沉积基材，c将钽源气化后和碳源气体、反应气体以及载气混合，进行第二化学气相沉积，在所述过渡层沉积基材内部填充形成细晶颗粒层，之后在所述过渡层沉积基材表面继续沉积形成粗晶颗粒层，最终得到TaC复合涂层。该方法能够增加涂层的致密性，并增强涂层和基材的结合强度，提升TaC复合涂层的性能，提高TaC复合涂层的使用寿命和可靠性。

本发明授权一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺及其产品在权利要求书中公布了：1.一种基于碳纳米结构过渡层的TaC复合涂层工艺，其特征在于，包括以下步骤： a基材表面预处理形成沟槽； b通入碳源气体、在金属盐催化剂的作用下进行第一化学气相沉积生长成碳纳米颗粒，对步骤a预处理后的基材进行沉积得到过渡层沉积基材； c将钽源气化后和碳源气体、反应气体以及载气混合，进行第二化学气相沉积，在所述过渡层沉积基材内部填充形成细晶颗粒层，之后在所述过渡层沉积基材表面继续沉积形成粗晶颗粒层，最终得到TaC复合涂层； 所述细晶颗粒层和所述粗晶颗粒层的成分均为TaC； 所述金属盐催化剂包括氯化镍、氯化铁、氯化钴、硝酸铁、硝酸镍中的至少一种； 所述碳源气体包括甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、乙炔中的至少一种； 所述碳源气体的通入速度为1Lmin～10Lmin； 所述金属盐催化剂的消耗量为0.1mol～0.5mol； 所述第一化学气相沉积反应的反应温度为1000℃~1200℃，反应时间5min~60min，反应压力为1kPa~20kPa； 所述钽源的通入速度为100gmin~250gmin； 所述钽源、所述碳源气体、所述反应气体以及所述载气的摩尔比例为：1:0.1~0.4:5~20:20~150； 所述第二化学气相沉积反应的反应温度为1300℃~1800℃，反应时间100min~300min，反应压力为0.5kPa~5kPa； 所述反应气体包括氢气。

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