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龙图腾网获悉上海光键半导体设备有限公司申请的专利一种T型深沟槽结构电容及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511479217.X，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种T型深沟槽结构电容及其制造方法是由孟庆华;丁昌德设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种T型深沟槽结构电容及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种T型深沟槽结构电容及其制造方法。该电容中四个T型结构旋转组合成一个正方形的最小单元，整体呈中心对称分布，解决了单个T型结构应力不平衡而造成的晶圆翘曲问题。最小单元的边长为4a+3b，根据工艺需求的不同，a、b可灵活变化，但最小单元始终保持正方形，实现了制造过程中的紧密堆积，提高了电容密度。此外，T型硅柱结构，相较于长方形等其他结构而言，具有优异的结构稳定性；同时，当在高深宽比结构中进行不同材料薄膜填充时，由于所有深槽是相互连通的，有利于反应气体在沟槽中充分流动和扩散均匀。通过实施本发明方法制造的电容具有更好的结构稳定性、薄膜沉积效果和覆盖率,性能优异。

本发明授权一种T型深沟槽结构电容及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种T型深沟槽结构电容，其特征在于，包括衬底1，所述衬底1上具有若干个正方形的最小单元，每个最小单元由四个T型结构2构成，各T型结构2间的间隙构成沟槽3，每个T型结构2包括第一臂和第二臂，所述第二臂的一端垂直连接在第一臂中间处，四个T型结构2绕最小单元中心旋转，且四个T型结构2的第一臂分别位于最小单元的左上角、左下角、右上角和右下角，呈中心对称分布，并且四个T型结构2的第二臂中未与第一臂连接的一端均朝向最小单元的中心，且每个最小单元中的四个T型结构2均为有间隙的不接触设置，每个最小单元中四个T型结构2间的间隙构成沟槽3，沟槽3互相贯通，所述最小单元的衬底1表面和所述沟槽3表面上沉积构成电容器的各个组成部分，所述T型结构2的第一臂由三个a·a的正方格和两个a·b的方格依次间隔连接构成，其长度为3a+2b，宽度为a；所述T型结构2的第二臂由一个a·a的正方格和一个a·b的方格连接构成，其长度为a+b，宽度为a；所述最小单元的边长为4a+3b；所述沟槽3的深度为H，所述最小单元内侧壁面积为46a+4bH；底部和顶部面积之和为：4a+3b2，总表面积为：46a+4bH+4a+3b2，所述T型结构2的各个拐角处为倒角结构。

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