浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种导流装置及化学气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511565635.0，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权一种导流装置及化学气相沉积设备是由高冰;叶宏亮设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导流装置及化学气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及化学气相沉积设备的结构优化设计。一种导流装置，安装于密闭的沉积腔体内；所述导流装置包括转动结构和设置在所述转动结构下端的混匀结构；所述转动结构包括转动轴，安装于所述转动轴上、相互平行且呈上下分布的上旋转臂和下旋转臂；所述混匀结构具有气体通道。本发明通过结构的改进，以期于优化气相热解物质分布均匀性，促进半导体晶体尤其是大尺寸晶体生长的均匀性。
本发明授权一种导流装置及化学气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种导流装置，安装于密闭的沉积腔体11内；其特征在于：所述导流装置包括转动结构200，设置在所述转动结构200下端的混匀结构300和辅助结构400； 所述转动结构200包括转动轴210，安装于所述转动轴210上、相互平行且呈上下分布的上旋转臂220和下旋转臂230； 所述混匀结构300具有气体通道； 所述辅助结构400包括用于将所述沉积腔体11分隔为上腔室111和下腔室112的底板410，设置在所述上腔室111的内侧壁上的侧板420；所述底板410上设置有用于使气体通过的孔道411； 所述转动结构200和混匀结构300均位于所述上腔室111内；所述侧板420内设置有用于安装加热模块a的加热腔体421； 所述加热腔体421包括呈上下分布、各自安装所述加热模块a的第一加热腔421-1和第二加热腔421-2，所述第一加热腔421-1对应所述上旋转臂220处的区域，所述第二加热腔421-2对应所述下旋转臂230处的区域，且所述第二加热腔421-2内的加热模块a的功率大于所述第一加热腔421-1内的加热模块a的功率； 所述混匀结构300内设置有用于安装所述加热模块a的安装腔。
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