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龙图腾网获悉信阳星原智能科技有限公司申请的专利面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121053204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172184.4，技术领域涉及：G06T7/73；该发明授权面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法是由任卫民;杨勇;白雨晴;张慧兰;陈辉;林贞珊设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法，涉及自适应控制技术领域，将目标检测方法确认的镀膜区域划分为多个单元并计算每个单元的中心坐标、中心法向量和曲率，预设部分喷射参数，基于高斯衰减模型构建每个单元的厚度分布以描述喷枪在每个单元的喷射方向、喷射量与任意位置厚度的关联，通过交替方向乘子法模拟迭代，得到使整体厚度分布符合标准厚度的每个单元的最优喷射方向与最优喷射量，协同考虑喷枪的移动总量、方向调整总量与每个单元的合理喷射距离设计奖励函数以引导强化学习模拟训练喷枪，生成最优喷射顺序及每个单元的最优喷射坐标，实现针对镀膜区域几何特性的自适应路径规划与喷射参数推定。

本发明授权面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法在权利要求书中公布了：1.面向发热服饰的半导体覆膜路径规划与位姿推定方法，其特征在于，包括以下步骤： 基于目标检测方法确认镀膜区域并划分为个单元且相邻单元间具有重叠带，计算每个单元的中心坐标、中心法向量和曲率并预设材料温度和喷射速度，中心坐标为喷枪喷射的目标位置； 考虑单元的曲率对镀膜材料的流动性影响，基于高斯衰减模型构建每个单元的厚度分布，厚度分布描述喷枪在每个单元的喷射方向、喷射量与点坐标处镀膜厚度的关联，叠加个单元的厚度分布生成整体厚度分布，通过交替方向乘子法模拟迭代，计算得到使整体厚度分布符合标准厚度的每个单元的最优喷射方向与最优喷射量； 协同考虑喷枪的移动总量、方向调整总量与个单元的合理喷射距离设计奖励函数以引导强化学习模拟训练喷枪，生成最优喷射顺序及每个单元的最优喷射坐标，喷射坐标为喷枪喷射时所处的位置； 其中，所述基于目标检测方法确认镀膜区域，包括以下步骤： 基于标定的设备位姿统一扫描仪和光谱仪采集数据的坐标系，生成点云数据和光谱数据； 将点云数据输入点卷积网络，借助动态图卷积聚合点云数据中每一个点的邻域内的点坐标与灰度值并基于注意力生成增强特征图，将光谱数据输入光谱编码器，通过采样算法将不同的空洞卷积核挖掘的光谱信息与增强特征图进行空间对齐，生成对齐特征图，基于皮尔逊相关系数将对齐特征图与增强特征图拼接为融合特征图； 计算点云数据中所有点的法向量并拼接为法向量图，与融合特征图拼接后通过多层感知器映射生成分割概率图，基于条件随机场优化生成分割标签矢量并确定镀膜区域。

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