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龙图腾网获悉景德镇陶瓷大学申请的专利一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121110152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511648091.4，技术领域涉及：C30B1/02；该发明授权一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用是由曾涛;花成烨;陈云霞;施玮;苏小丽;董罡设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体纳米薄膜技术领域，具体涉及一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用。本发明基于低温溶液工艺，创新的采用了两步法在衬底上原位制备三元金属硫化物纳米晶薄膜，通过使用短直链有机胺作为溶剂溶解金属盐制备分子前驱体，通过有机直链胺的软模板效应实现在衬底上制备形貌多孔的阳离子薄膜。随后通过将硫源溶解于对于阳离子薄膜无破坏性的正交溶剂丙酮制备薄膜的硫源前驱体溶液，并用其多次处理阳离子薄膜在低温退火形成三元金属硫化物纳米晶薄膜，所制备的薄膜展现出高纯物相、标准化学计量比及优异光吸收性能，薄膜表面无明显团聚并展现出良好平整致密性。作为各种光电器件的吸收层使用，具有巨大的应用潜力。

本发明授权一种三元金属硫化物纳米晶薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种三元金属硫化物纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于，步骤为： 所述三元金属硫化物纳米晶薄膜中的三元金属硫化物为AgBiS2、AgInS2、Cu3BiS3和CuInS2中的任意一种； 将第一金属盐、第二金属盐和短直链有机胺混合，得到金属盐前驱体溶液；所述第一金属盐为过渡金属盐，所述第二金属盐为ⅢA主族金属盐和ⅤA主族金属盐中的至少一种；所述短直链有机胺为正丁胺、正戊胺和正己胺中的至少一种；所述第一金属盐和第二金属盐的摩尔比为1：1~1.3；所述第一金属盐和短直链有机胺的用量比为0.25~0.40mmol：1.00mL； 将所述金属盐前驱体溶液在基体表面进行第一涂覆，得到阳离子前驱体薄膜； 将阴离子反应前驱液在所述阳离子前驱体薄膜上进行第二涂覆后，进行退火，得到所述三元金属硫化物纳米晶薄膜；所述阴离子反应前驱液的组分为硫源和丙酮； 所述硫源和丙酮的用量比为0.5~0.8mmol：1mL；所述第一金属盐和硫源的摩尔比为1：2~5； 所述退火的温度为120~160℃，时间为15~30min。

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