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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121262826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511812839.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器是由祝康;初剑;张卓强;卢小龙;葛瑞;曾凡清;元琳设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成初始结构，初始结构包括绝缘层、硅层、沟槽、多个凹槽和第一电极；第一电极覆盖沟槽和多个凹槽的内壁；在第一电极的表面形成保护层；去除位于沟槽的内壁上的保护层和位于沟槽的内壁上的第一电极；去除位于凹槽的内壁上的保护层和部分靠近沟槽的绝缘层，暴露出凹槽表面的第一电极；在第一电极暴露的表面，依次形成覆盖第一电极的电介质层，以及，覆盖电介质层的第二电极，从而避免了直接干法刻蚀导致的下电极短路和下电极损坏的问题，在完成下电极隔断的同时，保证了下电极的完整性，提高了电容的性能。

本发明授权一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上方形成初始结构，所述初始结构包括绝缘层、硅层、沟槽、多个凹槽和第一电极；所述绝缘层和所述硅层沿第一方向交替堆叠，所述沟槽沿所述第一方向贯穿所述绝缘层和所述硅层，所述凹槽位于所述硅层靠近所述沟槽的一侧，所述凹槽的开口朝向所述沟槽；所述第一电极覆盖所述沟槽和多个所述凹槽的内壁；所述第一方向垂直于所述衬底的表面所在的平面； 在所述第一电极的表面形成保护层； 去除位于所述沟槽的内壁上的所述保护层和位于所述沟槽的内壁上的所述第一电极； 去除位于所述凹槽的内壁上的所述保护层和部分靠近所述沟槽的所述绝缘层，暴露出所述凹槽表面的所述第一电极，其中，暴露出所述第一电极内侧的侧壁和至少部分外侧的侧壁； 在所述第一电极暴露的表面，依次形成覆盖所述第一电极的电介质层，以及，覆盖所述电介质层的第二电极； 其中，在相同的刻蚀条件下，所述保护层和所述第一电极之间具有高刻蚀选择比。

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