长鑫新桥存储技术有限公司蔡刘欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫新桥存储技术有限公司申请的专利半导体测试结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121306231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511884107.1，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权半导体测试结构及其制造方法是由蔡刘欣设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体测试结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体测试结构包括：测试阵列区，包括阵列排布的第一测试有源区，第一测试有源区的延伸方向与第一方向之间的夹角范围为预设角度，其中，在测试阵列区沿第二方向的第一边界处，位于不同列且位置相邻的两个第二测试有源区彼此连接；沿第一方向排列的多个测试导电线组，其中，每个测试导电线组包括相邻设置的两条测试导电线，每条测试导电线沿第二方向延伸穿过测试阵列区，多个测试导电线组中的测试导电线与第一测试有源区对应耦合，其中，每个测试导电线组中相邻设置的两条测试导电线的第一端通过彼此连接的第二测试有源区电连接。本公开可以提升测试位线的可靠性与稳定性。
本发明授权半导体测试结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 测试阵列区，包括阵列排布的第一测试有源区，所述第一测试有源区的延伸方向与第一方向之间的夹角范围为预设角度，其中，在所述测试阵列区沿第二方向的第一边界处，位于不同列且位置相邻的两个第二测试有源区彼此连接，其中，所述位于不同列且位置相邻的两个第二测试有源区彼此连接是通过修改有源区修剪掩模的边界位置，使得在所述有源区修剪掩模的边界处未形成浅沟槽隔离而实现两个所述第二测试有源区彼此连接； 沿第一方向排列的多个测试导电线组，其中，每个所述测试导电线组包括相邻设置的两条测试导电线，每条所述测试导电线沿第二方向延伸穿过所述测试阵列区，所述多个测试导电线组中的所述测试导电线与所述第一测试有源区对应耦合，其中，每个所述测试导电线组中所述相邻设置的两条测试导电线的第一端通过所述彼此连接的第二测试有源区电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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