厦门半导体工业技术研发有限公司白丽霞获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121308731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511869113.X,技术领域涉及:H03K17/22;该发明授权具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备是由白丽霞;赵光威;李文明;刘美冬;潘天龙;尹家宇;郑喆鑫;洪合作设计研发完成,并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种具有自检测回锁的上电复位电路,包括第一检测单元、第二检测单元和逻辑比较单元;通过第一检测单元的第一RC充放电单元进行电源电压检测与预充电,第一检测单元的第一回锁关断单元进行回锁关断与信号锁定,以得到第一检测电压;通过第二检测单元的第二RC充放电单元进行电源电压检测与预充电,第二检测单元的第二回锁关断单元进行回锁关断与信号锁定,以得到第二检测电压;通过逻辑比较单元的与非门根据第一检测电压和第二检测电压输出对应的复位信号;从而大大降低功耗,使得整体电路面积减小。
本发明授权具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种具有自检测回锁的上电复位电路,其特征在于,包括: 第一检测单元,所述第一检测单元包括第一RC充放电单元和第一回锁关断单元,所述第一RC充放电单元用于电源电压检测与预充电,所述第一回锁关断单元用于回锁关断与信号锁定,以得到第一检测电压; 第二检测单元,所述第二检测单元包括第二RC充放电单元和第二回锁关断单元,所述第二RC充放电单元用于电源电压检测与预充电,所述第二回锁关断单元用于回锁关断与信号锁定,以得到第二检测电压; 逻辑比较单元,所述逻辑比较单元包括与非门,所述与非门的第一输入端与所述第一检测单元相连接,所述与非门的第二输入端与所述第二检测单元相连接,所述与非门根据所述第一检测电压和所述第二检测电压输出对应的复位信号; 其中,所述第一RC充放电单元包括: 第一Res电阻,所述第一Res电阻一端连接到电源,所述第一Res电阻另一端作为第一节点; 第二电容,所述第二电容一端连接到所述电源,所述第二电容另一端连接到所述第一节点; 第五电容,所述第五电容一端连接到所述电源; 其中,所述第一回锁关断单元包括: 第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述第五电容另一端相连接,所述第一MOS管的源极连接到地,所述第一MOS管的栅极连接到ZPOR信号,以根据ZPOR信号检测电路是否上电成功; 第二MOS管,所述第二MOS管的源极连接到电源,所述第二MOS管的栅极连接到ZPOR1信号,以根据ZPOR1信号检测电路是否上电成功; 第一传输门,所述第一传输门一端与所述第二电容另一端相连接,所述第一传输门另一端与所述第五电容另一端相连接; 其中,所述第二RC充放电单元包括: 第二Res电阻,所述第二Res电阻一端连接到地,所述第二Res电阻另一端作为第二节点; 第四电容,所述第四电容一端连接到地,所述第四电容另一端连接到所述第二节点; 第六电容,所述第六电容一端连接到地; 其中,所述第二回锁关断单元包括: 第三MOS管,所述第三MOS管的漏极与所述第六电容另一端相连接,所述第三MOS管的源极连接到电源,所述第三MOS管的栅极连接到ZPORB信号,以根据ZPORB信号检测电路是否上电成功; 第四MOS管,所述第四MOS管的源极连接到地,所述第四MOS管的栅极连接到ZPOR1B信号,以根据ZPOR1B信号检测电路是否上电成功; 第二传输门,所述第二传输门一端与所述第四电容另一端相连接,所述第二传输门另一端与所述第六电容另一端相连接。
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