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龙图腾网获悉北京谱瑞赛斯流体科技有限公司申请的专利阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121326062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511820008.7，技术领域涉及：G05D23/30；该发明授权阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统是由张兵;陈健;沈岩;周敦颐;董金涛设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统，涉及真空电子器件制造技术领域，其中，该方法包括：基于光谱辐射能量，利用深度卷积神经网络反演获得其表面三维温度场分布；基于该分布数据计算发射针间横向及轴向纵向温度梯度，输入至评估模型动态评估浸润均匀度；结合比例积分微分控制器，依据均匀度结果生成多温区加热功率调控指令，并通过调节各温区功率输出，使阵列温度场达到促进铟料均匀浸润的要求。本申请提升了复杂三维结构场致发射体在真空高温环境下铟料浸润均匀性的控制精度和可靠性。

本发明授权阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种阵列场致发射体真空浸润铟的温度控制方法，其特征在于，包括： 采集目标发射体在真空浸润环境中的光谱辐射能量信息； 基于所述光谱辐射能量信息，利用深度卷积神经网络反演计算获得反映目标发射体表面三维分布形态的温度场数据； 基于所述温度场数据，分别计算目标发射体中不同发射针之间的横向温度梯度和单个发射针轴向的纵向温度梯度，并将所述横向温度梯度和所述纵向温度梯度输入至预先构建好的评估模型，通过所述评估模型获得铟料在目标发射体表面的浸润均匀度的评估结果； 基于所述评估结果，结合比例积分微分控制器，生成针对多个独立控温区的加热功率调控指令； 基于所述加热功率调控指令，调节各控温区的加热功率，以使目标发射体的温度场分布满足预设条件； 所述基于所述评估结果，结合比例积分微分控制器，生成针对多个独立控温区的加热功率调控指令，包括： 将所述评估结果与所述温度场数据组合，形成状态特征向量； 将所述状态特征向量输入至深度强化学习策略网络，通过所述深度强化学习策略网络中的状态评估模块，对所述状态特征向量进行评价，生成表征当前控制效果的状态评价值； 通过所述深度强化学习策略网络中的动作决策模块，基于所述状态评价值，输出比例积分微分控制器的参数调整量； 根据所述参数调整量，对比例积分微分控制器的控制参数进行实时修正，得到修正后的控制参数； 利用比例积分微分控制算法，基于所述修正后的控制参数，结合各独立控温区的温度偏差，计算得到对各独立控温区的加热功率调控指令。

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