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龙图腾网获悉无锡惠芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的布局优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121328445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882394.2，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种半导体器件的布局优化方法及系统是由丁浩宸;陈志阳;杨超设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的布局优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件的布局优化方法及系统，涉及数据处理技术领域，方法包括：获取待布局的半导体器件设计数据；根据所述半导体器件设计数据生成初始布局；根据所述初始布局，计算所述半导体器件的几何环境参数；将所述几何环境参数输入至WPE模型和LOD模型，输出所述半导体器件的电气修正参数集合；根据所述初始布局的布局信息，对所述半导体器件进行性能统计评估，得到所述半导体器件的良率；根据所述良率和所述电气修正参数集合，构建半导体器件布局优化模型；对所述半导体器件布局优化模型进行求解，得到所述半导体器件的最优布局策略；执行所述最优布局策略。

本发明授权一种半导体器件的布局优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的布局优化方法，其特征在于，包括： S1：获取待布局的半导体器件设计数据； S2：根据所述半导体器件设计数据生成初始布局； S3：根据所述初始布局，计算所述半导体器件的几何环境参数； S4：将所述几何环境参数输入至WPE模型和LOD模型，输出所述半导体器件的电气修正参数集合； S5：根据所述初始布局的布局信息，对所述半导体器件进行性能统计评估，得到所述半导体器件的良率； 其中，所述S5具体包括： S501：将所述初始布局中半导体器件的坐标映射到晶圆坐标系，得到晶圆坐标集合； S502：根据所述晶圆坐标集合，分别在晶圆宽度偏差场和晶圆厚度偏差场中提取宽度偏差值与厚度偏差值； S503：对所述宽度偏差值和所述厚度偏差值进行加权处理，得到所述半导体器件的等效几何偏差； S504：根据所述等效几何偏差，构建半导体器件扰动模型，并根据所述半导体器件扰动模型得到扰动参数； S505：根据所述扰动参数，构建电路传输模型； S506：根据所述电路传输模型，提取所述半导体器件的性能指标； S507：根据所述性能指标，确定所述良率； S6：根据所述良率和所述电气修正参数集合，构建半导体器件布局优化模型； S7：对所述半导体器件布局优化模型进行求解，得到所述半导体器件的最优布局策略； S8：执行所述最优布局策略。

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