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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511965650.4，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种半导体结构及其操作方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在第一方向上的两端，第一延伸部与共用沟道区邻近第二栅极层一侧的端部连接，第二延伸部与共用沟道区邻近第一栅极层一侧的端部连接；共用沟道区和第一延伸部的掺杂类型相同，且与第二延伸部的掺杂类型相反；第一存储层的数据写入基于第一栅极层与参考电压的电压差在第一预设范围来实现，第二存储层的数据写入基于第二栅极层与参考电压的电压差在第二预设范围来实现。

本发明授权一种半导体结构及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 衬底； 相邻设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管位于所述衬底上且具有共用沟道区，所述共用沟道区沿第一方向延伸，所述第一方向平行于所述衬底的表面，所述第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，所述第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层； 第一延伸部和第二延伸部，分别位于所述共用沟道区在所述第一方向上的两端，所述第一延伸部与所述共用沟道区邻近所述第二栅极层一侧的端部连接，所述第二延伸部与所述共用沟道区邻近所述第一栅极层一侧的端部连接； 源线和位线，所述源线沿第二方向和第三方向延伸，且与所述第二延伸部连接，所述位线沿所述第二方向延伸且与所述第一延伸部连接；其中，所述第二方向垂直于所述衬底的表面，所述第三方向平行于所述衬底的表面且与所述第一方向相交； 其中，所述共用沟道区和所述第一延伸部的掺杂类型相同，且与所述第二延伸部的掺杂类型相反；将所述第二延伸部和所述第一延伸部在工作时的电压差记为参考电压，所述第一存储层的数据写入基于所述第一栅极层与所述参考电压的电压差在第一预设范围来实现，所述第二存储层的数据写入基于所述第二栅极层与所述参考电压的电压差在第二预设范围来实现。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号52幢5层501-10；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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