苏州晨晖智能设备有限公司闫洪嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610056353.6，技术领域涉及：H10F19/70；该发明授权一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件是由闫洪嘉;李涛勇设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件。该片组包括从基圆硅片中部截取的矩形硅片和从矩形硅片的四周对称截取的、轴对称的非矩形多边形硅片，矩形硅片的截取尺寸，依据基圆硅片空位型点缺陷密度CV和自间隙型点缺陷密度CI的分布，以及基圆硅片径向不同区域少子寿命的分布确定，使所述矩形硅片处于CV‑CI≥0的区域，矩形硅片的四角至基圆硅片边缘区域少子寿命最低点间的距离与基圆硅片直径之比d，2%≤d≤8%。该方法基于硅片质量分布规律分割出两类硅片，采用不同电池工艺充分挖掘各自潜力，在获得高质量光伏组件的同时，使基圆硅片面积利用率超90%。
本发明授权一种光伏硅单晶片组、晶柱组、光伏电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种平面为100晶面的光伏硅单晶片组，其特征在于，所述片组包括从基圆硅片中部截取的矩形硅片和从所述矩形硅片的四周对称截取的、轴对称的非矩形多边形硅片，所述矩形硅片的截取尺寸，依据所述基圆硅片空位型点缺陷密度CV和自间隙型点缺陷密度CI的分布，所述矩形硅片处于CV-CI≥0的区域；和或，依据所述基圆硅片径向不同区域少子寿命的分布确定，所述矩形硅片的四角至所述基圆硅片边缘区域少子寿命最低点间的距离与所述基圆硅片直径之比d，2%≤d≤8%； 所述非矩形多边形硅片是轴对称的五边形硅片或轴对称的六边形硅片，所述六边形硅片，其中一条边是曲线，所述曲线的弦高与所述基圆硅片直径之比小于1%，所述五边形硅片或六边形硅片的最长边与所述矩形硅片的长边相协调； 所述五边形硅片或所述六边形硅片为第一硅片，将所述五边形硅片或所述六边形硅片沿对称轴切割，获第二硅片，将n块第一硅片和2块第二硅片拼接成一个矩形，其中n≥1。
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