西北工业大学马志波获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121538690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610066707.5，技术领域涉及：C25D3/12；该发明授权一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法是由马志波;喜奇;常志闯;田智勇设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法，属于微机电系统电镀工艺技术领域。包括以下步骤：首先，在晶圆表面使用正胶进行光刻并图形化；接着，对光刻图案后的晶圆进行种子层溅射，并通过剥离工艺形成带有预设图案的待电镀区域；然后，在待电镀区域使用负胶进行光刻，形成厚度大于预设金属镀层厚度的厚胶层；最后，对电镀区域进行电镀，得到预设厚度的金属镀层。本方法通过采用负胶工艺，有效抑制了金属镀层的横向生长，改善了金属镀层侧壁的垂直度，同时避免了去除非电镀区域种子层时对晶圆表面造成的损伤。解决了现有电镀方法在电镀时，易在镀层边缘形成“蘑菇状”突起、晶粒粗化等问题。
本发明授权一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种制备深刻蚀厚金属掩膜的电镀工艺方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：对待镀基底进行标准清洗后，对基底采用正胶进行光刻； 步骤S2：在光刻后带有正胶的基底表面溅射种子层； 步骤S3：对种子层进行湿法剥离，实现种子层图形化； 步骤S4：对实现种子层图形化的基底采用负胶进行光刻，在无种子层区域光刻制备厚负胶，负胶与步骤S1的正胶光刻成正套关系； 其中，负胶的厚度大于预设金属镀层的厚度，且负胶光刻胶层的图案位置掩膜的角度为80°-90°； 步骤S5：负胶光刻后，将带有负胶的基底放入电镀液中进行电镀，并通过电镀得到预设厚度的金属镀层； 步骤S6：电镀完成后，将基底依次浸泡在丙酮和无水乙醇中，对负胶进行超声波清洗；待基底干燥后，利用氧等离子体对基底进行干法刻蚀清洗，在基底表面形成预设金属镀层厚度的高垂直度厚金属掩膜。
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