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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121692759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610182557.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由丁明超;刘淼;温世源设计研发完成，并于2026-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供半导体结构，其包括具有PMOS区和NMOS区的衬底，衬底上设置有栅极和包括第一材料层和第二材料层的侧墙材料层；形成覆盖半导体结构的表面的第一掩模层；在第一掩模层上形成抗反射层和第二掩模层以及开口，开口暴露出部分第一掩模层；去除暴露的第一掩模层；去除NMOS区的第二掩模层和部分抗反射层；在PMOS区的栅极两侧形成沟槽，并去除暴露出的位于NMOS区的部分第一掩模层和部分第二材料层；在沟槽中形成应力半导体层填充沟槽；刻蚀去除剩余的第一掩模层和栅极顶面上的侧墙材料层，在栅极两侧形成侧墙层。本申请无需单独去除NMOS区的硬掩模层，节约生产成本。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底，所述衬底包括至少一个PMOS区和至少一个NMOS区，在所述PMOS区和所述NMOS区的衬底上均设置有栅极以及覆盖所述栅极的侧墙材料层，所述侧墙材料层包括自下而上层叠的第一材料层和第二材料层； 形成第一掩模层随形地覆盖半导体结构的表面； 在所述第一掩模层上依次形成抗反射层和第二掩模层，以及贯穿所述第二掩模层和所述抗反射层的开口，所述开口还暴露出位于PMOS区的部分所述第一掩模层； 去除所述开口中暴露的所述第一掩模层； 至少去除所述NMOS区的栅极上的所述第二掩模层和部分厚度的所述抗反射层，以至少暴露出所述NMOS区的栅极顶面上的部分所述第一掩模层； 通过刻蚀工艺在所述PMOS区的栅极两侧的衬底中形成沟槽，并去除暴露出的位于所述NMOS区的部分所述第一掩模层和部分所述第二材料层，使得所述NMOS区的栅极顶面上的部分第一材料层暴露； 在所述沟槽中形成应力半导体层，以填充所述沟槽，且所述应力半导体层的顶面凸出于所述衬底表面； 刻蚀去除剩余的所述第一掩模层，并至少刻蚀去除所述栅极顶面上的所述侧墙材料层，以在所述PMOS区的栅极两侧和所述NMOS区的栅极两侧形成侧墙层。

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