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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121726835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610209055.6，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法是由唐先胜;侯庆冉;王兆伟;张伟力;苗腾;王斐冉;李立设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及芯片制备技术领域，并提供一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法。制备方法包括：在衬底上生长成核层；生长超晶格结构；依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱、p型电子阻挡层和p型扩展接触层；原位退火；在p型扩展接触层上刻蚀图形化凹槽，形成多个柱状结构；在图形化凹槽的底部和侧壁依次周期性生长Al2O3层和SiO2层，形成环形光子晶体；在柱状结构的表面生长图形化透明导电层；生长图形化电极。该制备方法能够有效调整光子带隙的方向性，可形成侧面全方位的均匀光波，从而抑制激光从侧面非出光区域的泄漏，提高出光效率，而且环形光子晶体周期性分布，与侧面出光的激光模式匹配度高，有效保证光束质量。

本发明授权一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于环形光子晶体的芯片的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上生长成核层；所述成核层的生长温度为第一温度； 在所述成核层上生长超晶格结构；所述超晶格结构的生长温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度； 在所述超晶格结构上依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱、p型电子阻挡层和p型扩展接触层；其中，所述n型包覆层中的Al组分从靠近所述超晶格结构的一侧到远离所述超晶格结构的一侧逐渐减小； 进行原位退火处理； 采用感应耦合等离子体技术在所述p型扩展接触层上刻蚀图形化凹槽，形成多个柱状结构；其中，多个所述柱状结构阵列式排布，所述柱状结构的高度大于零且小于或等于所述p型扩展接触层、p型电子阻挡层和所述量子阱的厚度的和； 在所述图形化凹槽的底部和侧壁周期性生长Al2O3层和SiO2层，形成环形光子晶体；其中，所述Al2O3层和所述SiO2层背离所述图形化凹槽的底部一侧的表面均与所述柱状结构的表面在同一水平面； 在所述柱状结构的表面生长图形化透明导电层； 在所述图形化透明导电层上生长图形化电极。

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