吉盛微(武汉)新材料科技有限公司李杨浩获国家专利权
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龙图腾网获悉吉盛微(武汉)新材料科技有限公司申请的专利一种SiC CVD涂层气化反应装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224133166U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520902098.3，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种SiC CVD涂层气化反应装置是由李杨浩;李晨曦;刘宁宁;洪光锡;何飞设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC CVD涂层气化反应装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及材料科学技术领域，公开了一种SiCCVD涂层气化反应装置，包括外壳和封盖，所述封盖的前端左右侧均固定连接有连接管一，左侧所述连接管一的前端固定连接有MTS进料管，右侧所述连接管一的前端固定连接有氩气进气管，所述封盖的前端中部固定连接有连接管二，所述连接管二的前端固定连接有MTS出气管，所述MTS出气管的前端固定连接有流量控制阀，所述封盖的前端顶部固定连接有压力传感器，所述封盖的前端顶部固定连接有温度传感器。本实用新型中，通过MTS进料管充入MTS气体，加热带直接加热，温度和压力传感器实时监测内胆内的环境，反应结束后，氩气进气管充入氩气排出残留物质，减少杂质堆积与清理停机时间。
本实用新型一种SiC CVD涂层气化反应装置在权利要求书中公布了：1.一种SiCCVD涂层气化反应装置，包括外壳1和封盖2，其特征在于：所述封盖2的前端左右侧均固定连接有连接管一4，左侧所述连接管一4的前端固定连接有MTS进料管3，右侧所述连接管一4的前端固定连接有氩气进气管5，所述封盖2的前端中部固定连接有连接管二6，所述连接管二6的前端固定连接有MTS出气管7，所述MTS出气管7的前端固定连接有流量控制阀8，所述封盖2的前端顶部固定连接有压力传感器11，所述封盖2的前端顶部固定连接有温度传感器12，封盖2的后端固定连接有内胆13，所述内胆13的外壁固定连接有加热带14，所述内胆13的后端固定连接有底盘15，所述底盘15的后端中部连通有排污管9，所述排污管9的前端连通有排气管10。
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