长江存储科技有限责任公司赵祥辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器的形成方法以及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111210890.5，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权存储器的形成方法以及三维存储器是由赵祥辉;曾最新;单静静;豆海清;高毅设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的形成方法以及三维存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储器的形成方法以及三维存储器，该存储器的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和层叠结构，层叠结构位于衬底的裸露表面上，层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层；在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层包括狭缝区和至少位于狭缝区一侧的边缘区，狭缝区包括贯穿至层叠结构表面的多个沟道，边缘区包括第一凹槽和或孔洞；以图形化掩膜层为掩膜，刻蚀层叠结构，形成多个栅极线狭缝；去除图形化掩膜层。该存储器的形成方法较好地缓解了边缘处的栅极线狭缝的刻蚀停止以及倾斜等问题，保证了plane边缘处的栅极线狭缝的刻蚀效果较好，进而保证了器件的整体性能较好。
本发明授权存储器的形成方法以及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底和层叠结构，所述层叠结构位于所述衬底的裸露表面上，所述层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层； 在所述层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括狭缝区和至少位于所述狭缝区一侧的边缘区，所述狭缝区包括贯穿至所述层叠结构表面的多个沟道，所述边缘区包括第一凹槽和或孔洞； 以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述层叠结构，形成多个栅极线狭缝； 去除所述图形化掩膜层； 所述狭缝区有多个，所述边缘区有多个，部分的所述边缘区位于相邻的两个所述狭缝区之间，其他的所述边缘区位于所述狭缝区的边缘。
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