长江存储科技有限责任公司朱文琪获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111322931.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件是由朱文琪;颜元;张豪设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：提供存储阵列结构；在存储阵列结构的表面上形成非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜的远离存储阵列结构的表面上形成覆盖层；对形成有覆盖层的存储阵列结构进行退火处理，使得非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜。该方法保证了得到的多晶硅薄膜的均匀性以及平整度都较好。
本发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供存储阵列结构； 在所述存储阵列结构的表面上形成非晶硅薄膜； 在所述非晶硅薄膜的远离所述存储阵列结构的表面上形成覆盖层，所述覆盖层的材料包括氧化物或者氮化物，所述覆盖层的厚度大于40nm且小于50nm； 对形成有所述覆盖层的所述存储阵列结构进行激光退火处理，使得所述非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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