美光科技公司J·D·霍普金斯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110907474.4，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法是由J·D·霍普金斯;J·D·格林利;M·米洛耶维奇设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：导柱结构，其竖直延伸穿过隔离材料；导电线，其电耦合到所述导柱结构；所述导柱结构和所述导电线之间的接触结构；以及所述导电线和所述接触结构之间的互连结构。所述导电线包括钛、钌、铝和钼中的一或多个。所述互连结构包括不同于所述接触结构的材料组成和所述导电线的材料组成中的一或多个的材料组成。
本发明授权微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 导柱结构，其竖直延伸穿过隔离材料； 导电线，其上覆于且电耦合到所述导柱结构，所述导电线包括单相材料，其包括钌或钼； 所述导柱结构和所述导电线之间的接触结构； 所述导电线和所述接触结构之间的互连结构，所述互连结构包括不同于所述接触结构的材料组成和所述导电线的材料组成中的一或多个的材料组成；以及 气隙，其横向相邻所述导电线，其中所述气隙的一部分竖直延伸到横向邻近的所述导电线的上表面的平面上方，且所述气隙的额外部分竖直延伸到横向邻近的所述导电线的下表面的平面下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励