日月光半导体制造股份有限公司潘柏志获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111552438.7，技术领域涉及：H01F27/28；该发明授权半导体封装结构是由潘柏志;丁俊彦设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：基板，具有芯层；顶部变压器和底部变压器，位于芯层的相对两侧；第一连接件，连接顶部变压器与底部变压器。顶部变压器和底部变压器中的每个是由两个相互交错且分隔绕制的线圈组成。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板，具有芯层； 顶部变压器和底部变压器，位于所述芯层的相对两侧，所述基板具有相对的第一表面和第二表面，所述顶部变压器邻近所述第一表面，所述底部变压器邻近所述第二表面； 第一连接件，连接所述顶部变压器与所述底部变压器； 其中，所述顶部变压器和所述底部变压器中的每个是由两个相互交错且分隔绕制的线圈组成； 管芯，位于所述基板的所述第一表面； 外部连接件，位于所述基板的所述第二表面，所述外部连接件连接至所述半导体封装结构外部的电源； 第二连接件，所述底部变压器通过所述第二连接件电性连接于所述外部连接件； 第三连接件，所述顶部变压器通过所述第三连接件电性连接于所述管芯。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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