格芯(美国)集成电路科技有限公司J·R·霍尔特获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有基板嵌入光波导的绝缘体上硅芯片结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111390802.4，技术领域涉及：H10W10/10；该发明授权具有基板嵌入光波导的绝缘体上硅芯片结构和方法是由J·R·霍尔特;卞宇生;邵大立设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有基板嵌入光波导的绝缘体上硅芯片结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有基板嵌入光波导的绝缘体上硅SOI芯片结构和方法。在所述方法中，在形成SOI结构的晶圆接合工艺之前，在块体基板中的沟槽内形成光波导。随后，可执行前段工艺FEOL以在硅层中和或上方形成附加光学装置和或电子装置。通过在晶圆接合之前将光波导嵌入基板中而不是在FEOL工艺期间形成它，避免了对光波导的核心层的尺寸的严格限制。基板嵌入光波导的核心层可以相对较大，使得截止波长可以相对较长。因此，与FEOL光波导相比，这种基板嵌入光波导为SOI芯片结构带来了不同的功能。
本发明授权具有基板嵌入光波导的绝缘体上硅芯片结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅芯片结构，包括： 基板； 第一波导，其位于该基板的沟槽中，其中，该第一波导包括： 包覆层，其衬设该沟槽，其中，该包覆层具有位于该沟槽的底部上方且紧邻该沟槽的该底部的水平部分以及位于横向紧邻该沟槽的侧壁且进一步从该水平部分垂直延伸至该沟槽的顶部的垂直部分；以及 核心层，其位于该包覆层上，其中，该核心层位于该水平部分上方且紧邻该水平部分，在该垂直部分之间横向延伸且紧邻该垂直部分，且进一步从该水平部分垂直延伸至该沟槽的该顶部； 绝缘层，其位于该基板上方且紧邻该基板并进一步横向延伸至该沟槽的该顶部处的该包覆层的至少该垂直部分上方；以及 硅层，其位于该绝缘层上方且紧邻该绝缘层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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