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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115893308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310112289.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法是由许高斌;徐琛;马渊明;陈兴;陈士荣;冯建国;杨朝晖;张宇设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法在说明书摘要公布了：本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体设计了一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法。以硅片作为硅衬底层，在硅衬底层上沉积锗牺牲层、低频氮化硅层、高频氮化硅层、铜金属导线，通过刻蚀锗牺牲层，释放低频氮化硅层、高频氮化硅层的层间内在应力，触发氮化硅应变层裹挟非晶丝自卷曲，实现二维到三维的过渡，自卷曲形成含有非晶丝和螺旋线圈的微纳米管，即GMI磁传感器。GMI磁传感器的内径为百微米级；同时本发明的GMI磁传感器，利用薄膜的自卷曲技术，降低了工艺难度，且绕线线圈通过薄膜自卷曲技术形成，不会因绕线导致非晶丝弯曲；因此本发明所的GMI磁传感器具有优越的结构性能，同时具有体积小的优点。

本发明授权一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜自卷曲技术的GMI磁传感器的加工方法，其特征在于：具体包括以下步骤， 步骤1：清洗处理方形的硅衬底层1，在硅衬底层1的正面采用电子束蒸发出锗牺牲层2，得到基片； 步骤2：在步骤1得到的基片上通过等离子化学气相沉积法依次沉积低频氮化硅层3和高频氮化硅层4； 步骤3：在步骤2的基础上成膜、旋涂光刻胶、烘胶、曝光显影，利用电感耦合等离子体法在硅衬底层1上刻蚀出凸台，再去除光刻胶，所述凸台从下至上依次为锗牺牲层2、低频氮化硅层3和高频氮化硅层4； 步骤4：在步骤3的凸台上进行成膜、旋涂光刻胶、烘胶、曝光显影，利用电子束沉积金属铜，在高频氮化硅层4上形成铜金属导线5，后去除光刻胶； 所述铜金属导线5的两电极端对应位于高频氮化硅层4的一端，铜金属导线5弯折形成长度不同的两路导线，且弯折端位于高频氮化硅层4的另一端； 步骤5：在步骤4的基础上进行成膜、旋涂光刻胶、烘胶、曝光显影，利用原子层沉积，在铜金属导线5的两路导线上镀氧化铝保护层6，后去除光刻胶； 步骤6：在步骤5的基础上放置并利用光刻胶固定非晶丝7，使得非晶丝7水平位于高频氮化硅层4对应着铜金属导线5弯折的一端，且非晶丝7的轴向平行于高频氮化硅层4的宽度方向； 步骤7：在步骤6的基础上涂覆光刻胶并烘胶，使得步骤步骤6的基片的上端面包覆着光刻胶层8； 步骤8：在步骤7的基础上进行曝光、显影，将光刻胶层8靠近非晶丝7的一端的端面打开为刻蚀窗口，然后整体浸润在质量浓度为65％~80％的过氧化氢溶液中12h~36h，从非晶丝7的一端刻蚀掉至少12长度的锗牺牲层2，然后去除光刻胶； 由于锗牺牲层2被选择性刻蚀，在低频氮化硅层3和高频氮化硅层4层间应力作用下，低频氮化硅层3、高频氮化硅层4和氧化铝保护层6向上自卷曲形成中间裹挟着非晶丝7的微纳米管，同时金属导线5的两路导线形成一端相连的两路绕线线圈；得到GMI磁传感器，GMI磁传感器的体积为百微米级。

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