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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211634427.8，技术领域涉及：H05H1/02；该发明授权一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置是由王永生;靳文庸;彭明斌;丁卫东设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置在说明书摘要公布了：本发明属于等离子体应用领域，涉及一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置，包括外筒、高压尖电极、平板地电极、电磁线圈及磁芯；高压尖电极一端贯穿于左盖板并伸入在放电腔体中，另一端与高压电源连接；平板地电极设置在外筒内且与高压尖电极相对设置，平板地电极靠近高压尖电极一面上预制有用于放置待处理材料的放置台；在外筒外围横向设有电磁线圈，电磁线圈与磁控单元连接；在外筒内壁上设有磁芯；在左盖板上开有进气孔，在右盖板上开有出气孔。在高压尖电极和平板地电极之间可以获取大气压辉光放电等离子体的大面积弥散分布，分布空间的大小可以通过磁场强度大小来精确调节，实现大气压辉光放电弥散低温等离子体分布空间的扩展。

本发明授权一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置在权利要求书中公布了：1.一种轴向磁场调控低温等离子体的材料表面处理装置，其特征在于，包括外筒13、高压尖电极5、平板地电极7、电磁线圈14及磁芯6； 外筒13一侧设有左盖板2，另一侧设有右盖板9，外筒13与左盖板2及右盖板9密封的腔体为放电腔体； 高压尖电极5一端贯穿于左盖板2并伸入在放电腔体中，另一端与高压电源连接； 平板地电极7设置在外筒13内且与高压尖电极5相对设置，平板地电极7靠近高压尖电极5一面上预制有用于放置待处理材料15的放置台； 在外筒13外围横向设有电磁线圈14，电磁线圈14与磁控单元连接； 在外筒13内壁上设有磁芯6； 在左盖板2上开有进气孔，在右盖板9上开有出气孔，进气孔和出气孔为放电气体介质提供进出通道； 高压尖电极5和平板地电极7的间隙为弥散等离子体21分布区域，磁芯6和电磁线圈14形成的磁场线19和电极间隙轴向平行，高压尖电极5和平板地电极7之间形成的电场线20在轴向既存在垂直分量也存在水平分量，垂直分量为等离子体通道提供旋转驱动力，水平分量为带电粒子在间隙的轴向传输提供加速和束缚力； 通过外施磁场强度的调节，在高压尖电极5和平板地电极7之间形成了弥散分布的大气压辉光放电低温等离子体，用于控制放电等离子体的分布空间以及平板地电极7上的接触区域。

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