SKC索密思株式会社李乾坤获国家专利权
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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115951556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211223563.8，技术领域涉及：G03F1/44；该发明授权空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法是由李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧和氮中的至少一种。当用波长为193nm的光测量十次遮光膜的光密度时，测得的光密度值的标准偏差小于等于0.009。从测得的光密度值中的最大值减去最小值所得的值小于0.03。遮光膜表面的Rsk值大于等于‑2且小于等于0.1。在这种情况下，可以对空白掩模的遮光膜进行准确度得到提升的光学特性测量和缺陷检测。
本发明授权空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，包括： 透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜， 所述遮光膜包括过渡金属、氧和氮中的至少一种， 所述遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层， 所述第二遮光层包含35at％以上且75at％以下的过渡金属， 所述第二遮光层的厚度为30Å至200Å， 当用波长为193nm的光测量十次所述遮光膜的光密度时，测得的光密度值的标准偏差小于等于0.0055， 从所述测得的光密度值中的最大值减去最小值所得的值小于等于0.02， 所述遮光膜的表面的Rsk值大于等于-2且小于等于0.1。
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